Tranzistor H30R1203, IHW30N120R3 pro indukční ohřev

1200V 30A TO247-3

Součástka s označením H30R1203 (plným výrobním kódem IHW30N120R3) je vysoce výkonný IGBT tranzistor (N-kanál) s integrovanou zpětnou diodou. Využívá technologii TrenchStop™, která zajišťuje velmi rychlé, stabilní a efektivní spínání s nízkými ztrátami. 

Technické parametry

• Typ součástky: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) s monolitickou zpětnou diodou.
• Maximální napětím kolektor-emitor ((V_{CE})): 1200 V.
• Trvalý kolektorový proud:
  • 60 A při teplotě pouzdra 25 °C.
  • 30 A při teplotě pouzdra 100 °C.
• Maximální ztrátový výkon ((P_{tot})): 349 W při 25 °C (175 W při 100 °C).
• Saturační napětí ((V_{CE(sat)})): typicky 1,55 V.
• Maximální napětí brány-emitor ((V_{GE})): ±20 V.
• Maximální teplota přechodu ((T_{j})): 175 °C.
• Pouzdro (obal): TO-247-3 (vhodné pro montáž na chladič).

Typické aplikace

Tento tranzistor se nejčastěji používá v zařízeních s tzv. měkkým spínáním (soft-switching), kde se vyžaduje vysoká spolehlivost:

• Indukční varné desky a mikrovlnné trouby.
• Invertorové svářečky (např. 400V systémy).
• Mikrovlnné trouby s invertorem.
• Výkonové měniče a průmyslové spínané zdroje.

Detailní grafy a charakteristiky najdete přímo v Datasheetu IHW30N120R3 od Infineon.